Description

Fabricant: Infineon Catégorie du produit: MOSFET Technologie: Si Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-3 Nombre de canaux: 1 Channel Polarité du transistor: N-Channel Vds – Tension de rupture drain-source: 800 V Id – Courant continu de fuite: 17 A Rds On – Résistance drain-source: 290 mOhms Vgs th – Tension de seuil grille-source : 2.1 V Vgs – Tension grille-source: 10 V Qg – Charge de grille: 88 nC Température de fonctionnement min.: – 55 C Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd – Dissipation dénergie : 227 W Configuration: Single Mode canal: Enhancement Nom commercial: CoolMOS Conditionnement: Tube Hauteur: 15.65 mm Longueur: 10 mm Série: CoolMOS C3 Type de transistor: 1 N-Channel Largeur: 4.4 mm Marque: Infineon Technologies Temps de descente: 12 ns Type de produit: MOSFET Temps de montée: 15 ns Sous-catégorie: MOSFETs Délai de désactivation type: 72 ns Délai d’activation standard: 25 ns Poids de l »unité: 6 g